на главнуюВсе эхи SU.SCIENCE.CHEMISTRY
войти ?

Разработана простая технология легирования графена

От Marinais (2:5020/1823.2) к All

В ответ на Заголовок предыдущего сообщения в треде (Имя Автора)


=============================================================================
* Area : RU.COMPUTERRA
* From : News Robot, 2:5030/1256 (12-Feb-10 22:06:20)
* To : All
* Subj : Разработана простая технология легирования графена
=============================================================================
Компьютерра
_____________________________________________________________________

Разработана простая технология легирования графена

Опубликовано: 12.02.2010, 21:52

Сотрудники Технологического института Джорджии [1] (США) сумели
реализовать в несложном технологическом процессе и акцепторное,
и донорное легирование больших областей графена.

Образцы графена толщиной от одного до четырех слоев авторы
отделяли от кусков графита с помощью скотча и помещали их на
подложку из оксидированного кремния. Затем на материал
наносилась пленка водород-силсесквиоксана [2] (HSIO1,5), после
чего на выбранные области графена воздействовали пучком
электронов. "Мы варьировали время обработки и наблюдали за тем,
как изменяются свойства материала, -- рассказывает один из
авторов работы Рагхунатх Мурали (Raghunath Murali). -- Диаметр
электронного пучка можно уменьшить до 4-5 нм и точно
контролировать распределение примеси".

Как выяснилось, тип получаемого легирования определяется
временем экспонирования: при длительном облучении реализуется
акцепторное легирование, при более коротком -- донорное.
Механизм этого процесса достаточно необычен; примесные атомы
водорода и кислорода не замещают атомы углерода, а располагаются
поверх решетки. "Под влиянием электронного пучка кислород и
водород высвобождаются и связываются с углеродной решеткой, --
поясняет г-н Мурали. -- Продолжительное воздействие разрушает
всю структуру водород-силсесквиоксана, число атомов кислорода
превышает количество атомов водорода, и вы получаете акцепторное
легирование". При соответствующем пассивировании (защите от
загрязнения) графена примесь должна сохраняться неограниченно
долго.

До настоящего момента методик донорного и акцепторного
легирования графена с использованием одного легирующего
вещества, как утверждают авторы, не существовало. Технологию
можно легко модифицировать, пользуясь стандартным
литографическим оборудованием и задавая интенсивность излучения,
достигающего поверхности графена, с помощью маски.

В будущем ученые планируют провести эксперименты с другими
полимерами, которые, возможно, покажут даже более убедительные
результаты, чем водород-силсесквиоксан.

Полная версия отчета опубликована в журнале Applied Physics
Letters [3].

Подготовлено по материалам Технологического института Джорджии
[4].

[1]: http://www.gatech.edu/
[2]: http://en.wikipedia.org/wiki/Hydrogen_silsesquioxane
[3]: http://link.aip.org/link/?APPLAB/96/063104/1
[4]: http://www.gatech.edu/newsroom/release.html?nid=52890

_____________________________________________________________________

Оригинал статьи на http://pda.compulenta.ru/?action=article&id=505898

=============================================================================
* Origin: 2:5020/1823.2, /2613.5, /1317.8, /2173.2 (2:5020/1823.2)

Ответы на это письмо:

From: Username
Заголовок следующего сообщения в треде может быть длинным и его придется перенести на новую строку

From: Username
Или коротким

FGHI-url этого письма: area://SU.SCIENCE.CHEMISTRY?msgid=2:5020/1823.2+d780d6bd