на главнуюВсе эхи RU.HARDWARE.REPAIR.TRICKS
войти ?

оксиды для наноэлектроники

От Alexander Konosevich (2:5004/9) к All

В ответ на Заголовок предыдущего сообщения в треде (Имя Автора)


╒═══════════════════════════════════════════════════════════════════════════╕
Forward Alexander Konosevich (2:5004/9)
Area : RU.COMPUTERRA (RU.COMPUTERRA)
From : News Robot, 2:5030/1256
Name : All
Subj : оксиды для наноэлектроники
╘═══════════════════════════════════════════════════════════════════════════╛
Компьютерра
_____________________________________________________________________

оксиды для наноэлектроники

Опубликовано: 02.02.2010, 11:57

В Физическом институте им. П. H. Лебедева [1] РАH (ФИАH) в
сотрудничестве с Московским инженерно-физическим институтом [2]
созданы перспективные материалы на основе оксидов переходных
металлов [3], необходимые для изготовления функциональных
элементов наноэлектроники.

Миниатюризация полупроводниковых приборов требует новых
материалов. Ключевой элемент таких устройств -- так называемые
МДП-структуры [4] (металл, диэлектрик, полупроводник, см. также
здесь [5]). Для их функционирования абсолютно необходимы
диэлектрические слои, но чем они тоньше, тем сложнее их
получить. Рабочие параметры повсеместно используемого в качестве
диэлектрика диоксида кремния практически доведены до предельных
значений.

Российские физики получили и исследовали на предмет пригодности
для наноэлектроники четыре группы оксидов на основе переходных
металлов. лПолучить оксиды переходных металлов -- это не просто
взять и присоединить кислород к металлу, -- объясняет
руководитель научной группы Владимир Hеволин [6], заместитель
директора ФИАHа. -- Это весьма специфичный, строго
контролируемый процесс, требующий решения целого ряда как
физических, так и практических задач╗.

Ученым удалось не только показать, что одним из самых
перспективных для наноэлектроники диэлектриков будет оксид
европия [7], но и исследовать особенности техпроцесса получения
этого материала. лПроблема в том, -- продолжает Владимир
Hеволин, -- что оксид европия, который нужен для решения
подобных задач, не может существовать просто так, он неустойчив,
тут же начинает дополнительно присоединять кислород и переходить
в конечную фазу Eu2O3. Значит, технологический процесс должен
быть таким, чтобы при получении EUO строго дозировалось
количество осаждаемых атомов европия и участвующих в этом атомов
кислорода. При этом нужно иметь возможность тут же, в
сверхвысоком вакууме [8], как только образуется EUO, во-первых,
in situ показать, что это именно так, а во-вторых, накрыть его
каким-то слоем, дабы не дать кислороду все испортить╗.

Задачу удалось решить методом импульсного лазерного
прецизионного осаждения, осуществляемого при довольно
неравновесных условиях. Технология не является ни промышленной,
ни даже полупромышленной, но именно она позволяет отработать
конкретную методику получения конкретного слоя или комбинации
слоев.

Владимир Hеволин убежден, что метод импульсного лазерного
осаждения очень интересен с точки зрения отработки технологии,
выяснения физики процесса и рекомендаций к производству. лВ
такой полупромышленной установке, как молекулярно-лучевая
эпитаксия [9], сочетать это нельзя, там другие условия, там нет
сверхвысокого вакуума именно в той зоне, в которой нужно
проводить исследования, -- поясняет ученый. -- Это, с одной
стороны, фундаментальная наука, но именно она дает практический
результат: мы получили конкретные требования к тому, как должен
быть реализован технологический процесс изготовления идеальных
параметров данного слоя. А значит -- это уже практическая наука,
это уже прикладная вещь, позволяющая давать рекомендации и
организовывать полупромышленные или даже промышленные
технологии╗.

Подготовлено по материалам Физического института им. П. H.
Лебедева РАH [10].

[1]: http://www.lebedev.ru/>Физическом
[2]: http://www.mephi.ru/>Московским
[3]: http://ru.wikipedia.org/wiki/Переходные_металлы>переходных
[4]: http://ru.wikipedia.org/wiki/МОП-структура>МДП-структуры</a
[5]: http://ru.wikipedia.org/wiki/Полевой_транзистор>здесь</a
[6]: http://www.lebedev.ru/ru/structure/?command=people&id_people=2941&id_level=338> Владимир
[7]: http://ru.wikipedia.org/wiki/Европий>европия</a
[8]: http://www.cultinfo.ru/fulltext/1/001/008/100/144.htm>сверхвысоком
[9]: http://ru.wikipedia.org/wiki/Молекулярно-пучковая_эпитаксия>молекулярно-лучевая
[10]: http://www.fian-inform.ru/?mode=mnews&id=298&page=1>Физического

_____________________________________________________________________

Оригинал статьи на http://pda.compulenta.ru/?action=article&id=501495

[http://pda.compulenta.ru/?action=section§ion_id=27750]: - Железо и гаджеты - Интернет и связь - Hаука и техника - Физика

--- R123572485272
* Origin: Copyright (C) Aleksandr K Konosevich (2:5004/9)

Ответы на это письмо:

From: Username
Заголовок следующего сообщения в треде может быть длинным и его придется перенести на новую строку

From: Username
Или коротким

FGHI-url этого письма: area://RU.HARDWARE.REPAIR.TRICKS?msgid=2:5004/9+4b7f8ec2